É pessoal, Boa tarde!!
Faz tempo que não tem uma atualização...mas venho com uma boa sobre memórias. Um dos atuais sucessos das pesquisas em eletrônica é o uso de
memória flash. E um dos grandes beneficiados com esse avanço é nosso querido Computador. Esses avanços deixaram o computador com uma inicialização quase que instantânea e poderão evitar a perda de dados ao se desligar o PC.
O avanço atual nessas memórias é a MRAM (
Magnetic Random Acess Memories ), já existia pesquisas sobre ela antes e também já estava no mercado desde 2005, porém ela não conseguia lutar contra sua rival a RAMs (
Random Acess Memories) pois tinha um tempo de resposta muito baixo em comparação.
Mas atualmente, cientistas do instituto alemão
PTB acabam de criar uma célula de memória magnética que funciona com uma velocidade acima de 2 GHz. Antes a resposta da memória era de 250 NANOsegundos, hoje é de 2 NANOsegundos e com essa nova célula chega a marca de 0,5 NANOsegundos!
Os Cientistas afirmaram que o ganho não é somente na velocidade. A MRAM consome menos energia, gera menos erros ( um grande problema delas antes ) e aquece menos. Para serem gravados dados os cientistas utilizam a técnica de Acionamento Balístico, o pulso magnético usado para gravar o valor de um bit é selecionado de tal forma que a magnetização daquela célula específica executa uma meia-rotação do spin (180°), enquanto as células cujos dados devem ser mantidos intactos executam uma rotação completa (360°). Nos dois casos, a magnetização fica em estado de equilíbrio após o decaimento do pulso magnético, o que impede excitações magnéticas residuais anômalas.
As memórias magnéticas foram classificadas como um tipo de
memória universal, pois podemos utiliza-las para armazenamento não volátil, para uma alta capacidade de integração, elas contém um número virtualmente ilimitado de ciclos de leitura e escrita e por causa da nova célula um tempo de acesso bastante rápido.
Rumo a memórias na velocidade da Luz!
Até mais e obrigado pessoal !!
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Inovação Tecnológica!!